Ngày 5/6/2007, IBM cho biết, nhờ sử dụng công nghệ SOI (vốn dành
riêng cho dòng các BXL máy chủ Power), chip đã có hiệu năng cao hơn 30%
so với các chip sử dụng công nghệ CMOS (complementary metal oxide
semiconductor) chuẩn. Hiệu năng cũng tăng hơn khi công ty sản xuất các
chip này bằng quy trình 45nm thay vì 65nm.
Đầu
năm 2008, IBM sẽ tung ra chip Cu-45HP (high performance), dự kiến cho
các nhà sản xuất switch/router, điện thoại di động (ĐTDĐ), các hệ thống
chơi game di động. Giám đốc công nghệ Bernard Meyerson của nhóm Systems
and Technology Group trong IBM cho biết, công ty sẽ thiết kế một phiên
bản tùy biến của ASIC (application specific integrated circuit) cho mỗi
nền tảng client mới (IBM đã xây dựng nhiều ASIC cho thị trường điện
thoại nhưng thiết kế mới sẽ cho phép công ty tạo ra những kiến trúc
mạnh hơn, tốn ít thời gian hơn, giá thành thấp hơn.
Để tăng hiệu quả điện năng tiêu thụ, IBM đang sử dụng DRAM (dynamic RAM) nhúng có kiến trúc 45nm để thay cho SRAM (static RAM).
IBM còn giới thiệu một số chất bán dẫn tương tự-số cho các ĐTDĐ và
những sản phẩm không dây khác gồm: SiGe BiCMOS 5Pae (để chế tạo các bộ
khuyếch đại trong ĐTDĐ, các ứng dụng WiMax), SiGe BiCMOS 6WL (phiên bản
cấp thấp cho ĐTDĐ, thiết bị GPS), CMOS 11LP (giúp tăng hiệu quả năng
lượng của các thiết kế ĐTDĐ).
Theo IDG News Service
3Cdotcom “@netmail: E-mail dung lượng lớn cho mỗi
người" www.3cdotcom.vn
