TDK sử dụng phần tử
TMR, tăng điện trở từ thêm 80% trong khi vẫn giữ điện trở của lớp kết
dính ở mức thấp, cho phép thực hiện ghi lên hai mặt ổ đĩa đơn 1,8-inch
đạt tổng dung lượng 260GB. Một điểm khác của công nghệ mới này là cho
mật độ ghi đạt 1771Kb/inch, mật độ rãnh ghi là 454 nghìn rãnh/inch và
kích thước rãnh 56nm.
Theo
các nhà nghiên cứu TDK, khi phần tử TMR giảm kích cỡ sẽ làm tăng mật độ
rãnh kéo theo điện trở của phần tử tăng lên, nhưng lại khó có thể làm
cho tốc độ tăng lên. Vì vậy, TDK đã phát triển công nghệ mới sử dụng
phần tử CPP-GMR có điện trở thấp để thay thế phần tử TMR. Và khi đó khả
năng đạt được mật độ ghi 1TB/inch2 là có thể thực hiện được.
CPP-GMR là kháng từ ngoại cỡ, một tác động vật lý có thể làm thay đổi
vòng quay của các electron điện tử, nhờ đó làm tăng mật độ và khả năng
lưu trữ của ổ cứng.
Tuy nhiên, TDK vẫn chưa khẳng định sẽ sử dụng công nghệ trên cho loại ổ
cứng kích thước nhỏ có dung lưọng lưu trữ lớn của dòng netbook hay
những thiết bị điện tử di động.
Theo VnMedia (Electronista)
“ Kho kiến thức đầy đủ nhất về HOSTING" www.hosting.net.vn